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MJD44H11中文资料

MJD44H11图片

MJD44H11外观图

  • 大小：36.29KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：8 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 2 A at 1 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：85 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-252-3 (DPAK)
  • 封装：Tube
  • 集电极连续电流：8 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：20 W
  • 工厂包装数量：75

MJD44H11供应商

更新时间:2023-01-02 01:01:42
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